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概要:[ワシントン 6日 ロイター] - 米商務省は6日、国内の半導体製造施設の新設・増設に対する390億ドルの政府補助金について、来年2月までの申請受け付け開始を目指していると明らかにした。 バイデン大
[ワシントン 6日 ロイター] - 米商務省は6日、国内の半導体製造施設の新設・増設に対する390億ドルの政府補助金について、来年2月までの申請受け付け開始を目指していると明らかにした。
バイデン大統領は先月、半導体補助金法の施行に関する大統領令に署名した。国内の半導体製造・研究に対する527億ドルの支援のほか、半導体工場向け投資を促進するための推定240億ドル相当の税額控除が盛り込まれた。
商務省によると、来年2月初旬までに詳細な申請手順を公表し、申請処理や審査・企業との交渉が済み次第、支援金や融資が順次供与されるという。
「最新の製造技術を必要とする最先端の半導体メモリーやロジック(演算用)の国内生産の確立」に280億ドル、成熟および現世代の半導体製品、新規や特化型技術、半導体産業のサプライヤーに関する新規製造能力には100億ドルが割り当てられるとした
新法では、半導体研究に対する110億ドルの支援も盛り込まれている。
レモンド商務長官は記者団に対し、1件ずつ企業側と交渉するつもりだとし、申請企業は製造に政府支援が必須だと証明する必要があると述べた。「投資を行うために必要な分以上の支援はない」と強調した。
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